مشخصات فناوری US5U3TR
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - US5U3TR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - US5U3TR
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | 12V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TUMT5 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 80 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.2 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | Schottky Diode (Isolated) | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | US5U3 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor US5U3TR دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | US5U3TR | US5U30TR | US5U35TR | US5U38TR |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET ویژگی | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.2 nC @ 4.5 V | 2.1 nC @ 4.5 V | 1.7 nC @ 5 V | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TUMT5 | TUMT5 | TUMT5 | - |
| بسته بندی / مورد | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V | 390mOhm @ 1A, 4.5V | 800mOhm @ 700mA, 10V | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| VGS (حداکثر) | 12V | ±12V | ±20V | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4V, 10V | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) | 1A (Ta) | 700mA (Ta) | - |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| سلسله | - | - | - | * |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 20 V | 45 V | - |
| شماره محصول پایه | US5U3 | US5U30 | US5U35 | US5U38 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 80 pF @ 10 V | 150 pF @ 10 V | 120 pF @ 10 V | - |
بارگیری داده های US5U3TR PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای US5U3TR - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
US5U30TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1A TUMT5US5U29/TRLAPIS TechnologyUS5U1/TRLAPIS TechnologyUS5U29LAPIS TechnologyUS5U30LAPIS TechnologyUS5U38LAPIS Technology
US5881LSEMelexisUS5U35LAPIS TechnologyUS5MBFJINGDAOUS5U2/TRLAPIS TechnologyUS5U35TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5US5U38TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1A TUMT5US5U30/TRLAPIS TechnologyUS5U1TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5US5GBFJINGDAOUS5U29TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1A TUMT5US5U2TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
US5881LSE-AAA-000-REMelexis Technologies NVMAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.