مشخصات فناوری RRS075P03TB1
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - RRS075P03TB1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - RRS075P03TB1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | - | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | - | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor RRS075P03TB1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | RRS075P03TB1 | STW56N65M2 | IRFB4510PBF | LP0701N3-G |
| سازنده | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics | Infineon Technologies | Microchip Technology |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Bag |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) | 49A (Tc) | 62A (Tc) | 500mA (Tj) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | - | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | TO-247-3 | TO-220AB | TO-92 |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| سلسله | - | MDmesh™ M2 | HEXFET® | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 1V @ 1mA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | 358W (Tc) | 140W (Tc) | 1W (Tc) |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-247-3 | TO-220-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | - | 62mOhm @ 24.5A, 10V | 13.5mOhm @ 37A, 10V | 1.5Ohm @ 300mA, 5V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 650 V | 100 V | 16.5 V |
بارگیری داده های RRS075P03TB1 PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای RRS075P03TB1 - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
STW56N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 49A TO247
RRS050P03TB1LAPIS TechnologyIRFB4510PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 62A TO220ABLP0701N3-GMicrochip TechnologyMOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92RRS040P03-TBLAPIS Technology
IXTA26P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 26A TO263
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
RRS090N03FU7TB1Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A 8SOPRRS050P03FU7TB1LAPIS Technology
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
APT12F60KMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 12A TO220
APT60M75JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 58A ISOTOPRRS090N03TB1LAPIS Technology
STP13N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 12A TO220
IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3RRS075P03GTB1LAPIS TechnologyIPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
AUIRF7478QTRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 7A 8SO| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.