مشخصات فناوری RMW280N03TB
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - RMW280N03TB ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - RMW280N03TB
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-PSOP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.8mOhm @ 28A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3130 pF @ 15 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 53 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 28A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | RMW280 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor RMW280N03TB دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | RMW280N03TB | RMW180N03FUBTB | RMWV3216AGBG-5S2 | RMW280N03FUBTB |
| سازنده | Rohm Semiconductor | LAPIS Technology | Renesas | LAPIS Technology |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 53 nC @ 10 V | - | - | - |
| شماره محصول پایه | RMW280 | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.8mOhm @ 28A, 10V | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3130 pF @ 15 V | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | - | - | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-PSOP | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 28A (Ta) | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | - | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3W (Ta) | - | - | - |
بارگیری داده های RMW280N03TB PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای RMW280N03TB - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
RMW180N03FUBTBLAPIS TechnologyRMWV3216AGBG-5S2RenesasRMW280N03FUBTBLAPIS TechnologyRMW180N03FU7TBLAPIS TechnologyRMW200N03FUBTBLAPIS TechnologyRMW150N03FUBTB1LAPIS TechnologyRMW200N03LAPIS TechnologyRMW280N03LAPIS TechnologyRMW180N03LAPIS TechnologyRMW200N03FUBLAPIS TechnologyRMW280N03FU7TBLAPIS TechnologyRMWV3216AGBG-5S2#AC0RenesasRMW280N03FUB-TBLAPIS TechnologyRMW150N03FUBTBLAPIS TechnologyRMW200N03FUBTB1LAPIS TechnologyRMW200N03FUBB1LAPIS TechnologyRMWV6416AGBG-5S2#AC0RenesasRMW200N03FU7TBLAPIS Technology| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.