مشخصات فناوری RCD050N20TL
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - RCD050N20TL ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - RCD050N20TL
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | LAPIS Technology | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.25V @ 1mA | |
VGS (حداکثر) | ±30V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | CPT3 | |
سلسله | - | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 618mOhm @ 2.5A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 20W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 380 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 5A (Ta) | |
شماره محصول پایه | RCD050 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor RCD050N20TL دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | RCD050N20TL | RCD075N20TL | RCD040N25TL | RCD080N25TL |
سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | - | 25 nC @ 10 V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 200 V | 250 V | 250 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 5A (Ta) | 7.5A (Tc) | 4A (Ta) | 8A (Ta) |
کننده بسته بندی دستگاه | CPT3 | CPT3 | CPT3 | CPT3 |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 380 pF @ 25 V | 755 pF @ 25 V | - | 1440 pF @ 25 V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.25V @ 1mA | 5.25V @ 1mA | - | 5V @ 1mA |
شماره محصول پایه | RCD050 | RCD075 | RCD040 | RCD080 |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 618mOhm @ 2.5A, 10V | 325mOhm @ 3.75A, 10V | - | 300mOhm @ 4A, 10V |
دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 20W (Tc) | 850mW (Ta), 20W (Tc) | 20W (Tc) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
سلسله | - | - | - | - |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
بارگیری داده های RCD050N20TL PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای RCD050N20TL - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.