مشخصات فناوری R6076ENZ1C9
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - R6076ENZ1C9 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - R6076ENZ1C9
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 42mOhm @ 44.4A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 120W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6500 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 260 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor R6076ENZ1C9 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | R6076ENZ1C9 | R6035ENZ1C9 | R6076MNZ1C9 | R6035KNZ1C9 |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 76A (Tc) | 35A (Tc) | 76A (Tc) | 35A (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 42mOhm @ 44.4A, 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V | 55mOhm @ 38A, 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 120W (Tc) | 120W (Tc) | 740W (Tc) | 379W (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 5V @ 1mA | 5V @ 1mA |
| سلسله | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6500 pF @ 25 V | 2720 pF @ 25 V | 7000 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 260 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
بارگیری داده های R6076ENZ1C9 PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای R6076ENZ1C9 - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
R60S1215TSCONVERTERIGBT Module
R6030835Powerex, Inc.IGBT ModuleR6035ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO247
R60MI3100AA30KKEMETCAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIALR60S4821-1TSACONIGBT ModuleR6076ENZ4C13 MOSLAPIS Technology
R60PI3100AA30JKEMETCAP FILM 0.1UF 5% 630VDC RADR6030ENZ1LAPIS TechnologyR6047ENZ1LAPIS Technology
R60PF2100AA30JKEMETCAP FILM 10000PF 5% 630VDC RADR6031235Powerex, Inc.IGBT ModuleR6031222Powerex, Inc.IGBT ModuleR6076MNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247R6032022Powerex, Inc.IGBT ModuleR6031220Powerex, Inc.IGBT ModuleR6035KNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247R6047ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 47A TO247R6031225Powerex, Inc.IGBT Module| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.