مشخصات فناوری R6020ENX
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - R6020ENX ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - R6020ENX
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220FM | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 196mOhm @ 10A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 50W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1400 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 20A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | R6020 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor R6020ENX دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | R6020ENX | R6020ANZC8 | R6020JNZC8 | R6020ANX |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 196mOhm @ 10A, 10V | 220mOhm @ 10A, 10V | 234mOhm @ 10A, 15V | 220mOhm @ 10A, 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 45 nC @ 15 V | 65 nC @ 10 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220FM | TO-3PF | TO-3PF | TO-220FM |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 1mA | 4.15V @ 1mA | 7V @ 3.5mA | 4.5V @ 1mA |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 20A (Tc) | 20A (Ta) | 20A (Tc) | 20A (Ta) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 15V | 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1400 pF @ 25 V | 2040 pF @ 25 V | 1500 pF @ 100 V | 2040 pF @ 25 V |
| سلسله | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | R6020 | - | - | R6020 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 50W (Tc) | 120W (Tc) | 76W (Tc) | 50W (Tc) |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
بارگیری داده های R6020ENX PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای R6020ENX - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
R6020825Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ANZC8Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO3PFR6021620Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020835Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ENJLAPIS TechnologyR6020ANZLAPIS TechnologyR6020JNZC8Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO3PFR6020ANXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FMR6020ENXC7LAPIS TechnologyR6021622Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020JNJGTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A LPTSR6020KNJTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A LPTSR6020JNXC7GRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FMR6021625Powerex, Inc.IGBT ModuleR6021022Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020822Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ANZFU7C8LAPIS TechnologyR6020ANJLAPIS Technology| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.