مشخصات فناوری R6012JNXC7G
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - R6012JNXC7G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - R6012JNXC7G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 7V @ 2.5mA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220FM | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 390mOhm @ 6A, 15V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 60W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 900 pF @ 100 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 28 nC @ 15 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 15V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | R6012 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor R6012JNXC7G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | R6012JNXC7G | R6015FNX | R6015ENX | R6012ANJTL |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 15V | 10V | 10V | 10V |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| سلسله | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 7V @ 2.5mA | 5V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4.5V @ 1mA |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220FM | TO-220FM | TO-220FM | LPTS |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 900 pF @ 100 V | 1660 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Tc) | 15A (Ta) | 15A (Tc) | 12A (Ta) |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 390mOhm @ 6A, 15V | 350mOhm @ 7.5A, 10V | 290mOhm @ 6.5A, 10V | 420mOhm @ 6A, 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 60W (Tc) | 50W (Tc) | 40W (Tc) | 100W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 28 nC @ 15 V | 42 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| شماره محصول پایه | R6012 | R6015 | R6015 | R6012 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
R6015FNXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 15A TO-220FMR6015ENJ TLLAPIS Technology
R6012620XXYAPowerex, Inc.IGBT ModuleR6015ENXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 15A TO220FMR6012ANLAPIS TechnologyR6012630YAPowerex, Inc.IGBT ModuleR6012ANJTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 12A LPTSR6015ENXC7LAPIS TechnologyR6015ANXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 15A TO220FMR6015KNX C7LAPIS TechnologyR6012ANXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 12A TO220FMR6012625XXYAPowerex Inc.DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205ABR6011KNXA24C12LAPIS TechnologyR6012630XXYAPowerex, Inc.IGBT ModuleR6015KNXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 15A TO220FMR6012JNJGTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 12A LPTSR6015ENZLAPIS TechnologyR6015ANZLAPIS Technology| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.