مشخصات فناوری QS6J1TR
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - QS6J1TR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - QS6J1TR
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TSMT6 (SC-95) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 1.25W | |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 270pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 3nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.5A | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | QS6J1 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor QS6J1TR دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | QS6J1TR | QS6J3TR | QS6K1FRATR | QS6K1TR |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| کننده بسته بندی دستگاه | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | 238mOhm @ 1A, 4.5V | 238mOhm @ 1A, 4.5V |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C | 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | 30V | 30V |
| قدرت - حداکثر | 1.25W | 1.25W | 900mW (Tc) | 1.25W |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 270pF @ 10V | 270pF @ 10V | 77pF @ 10V | 77pF @ 10V |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate |
| شماره محصول پایه | QS6J1 | QS6J3 | QS6K1 | QS6K1 |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| سلسله | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 3nC @ 4.5V | 3nC @ 4.5V | 2.4nC @ 4.5V | 2.4nC @ 4.5V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 1.5V @ 1mA | 1.5V @ 1mA |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.5A | 1.5A | 1A (Ta) | 1A |
بارگیری داده های QS6J1TR PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای QS6J1TR - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
QS6J11/TRLAPIS TechnologyQS6J3TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6QS6K1FRATRRohm Semiconductor2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORREQS6J1/TRLAPIS TechnologyQS6J1TR MOSLAPIS TechnologyQS6J3/TRLAPIS TechnologyQS6611QFQSQS6K1FRALAPIS TechnologyQS6K21LAPIS TechnologyQS6611TFQSQS6612-LFQSI
QS6612LFIDT (Renesas Electronics Corporation)QS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6QS6J11TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6QS6K1/TRLAPIS TechnologyQS6400ALINEAROQS6J11LAPIS TechnologyQS6K1TR MOSLAPIS Technology| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.