مشخصات فناوری IXTQ22N50P
مشخصات فنی IXYS - IXTQ22N50P ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTQ22N50P
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | |
| سلسله | Polar | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 270mOhm @ 11A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 350W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2630 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 50 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 22A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTQ22 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTQ22N50P دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTQ22N50P | IXTQ22N60P | IXTQ170N10P | IXTQ200N10T |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 22A (Tc) | 22A (Tc) | 170A (Tc) | 200A (Tc) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2630 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 50 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V | 198 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 270mOhm @ 11A, 10V | 350mOhm @ 11A, 10V | 9mOhm @ 500mA, 10V | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 350W (Tc) | 400W (Tc) | 715W (Tc) | 550W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | Polar | Polar | Polar | Trench |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| شماره محصول پایه | IXTQ22 | IXTQ22 | IXTQ170 | IXTQ200 |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 600 V | 100 V | 100 V |
بارگیری داده های IXTQ22N50P PDF و مستندات IXYS را برای IXTQ22N50P - IXYS بارگیری کنید.
IXTQ36N50IXYS / LittelfuseIXTQ22N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 22A TO3PIXTQ170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO3PIXTQ200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 200A TO3PIXTQ200N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 200A TO3PIXTQ182N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 182A TO3PIXTQ16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO3PIXTQ180N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 180A TO3PIXTQ26N50P MOSIXYS / LittelfuseIXTQ26N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 26A TO3PIXTQ30N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO3PIXTQ200N04TIXYS / LittelfuseIXTQ26N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 26A TO3PIXTQ160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO3PIXTQ30N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO3PIXTQ22N50P MOSIXYS / LittelfuseIXTQ36N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 36A TO3PIXTQ18N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 18A TO3P| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.