مشخصات فناوری IXTQ110N10P
مشخصات فنی IXYS - IXTQ110N10P ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTQ110N10P
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | |
| سلسله | Polar | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15mOhm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 480W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3550 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 110 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 110A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTQ110 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTQ110N10P دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTQ110N10P | IXTQ130N10T | IXTQ120N20P | IXTP86N20T |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15mOhm @ 500mA, 10V | 9.1mOhm @ 25A, 10V | 22mOhm @ 500mA, 10V | 29mOhm @ 500mA, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 110 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 110A (Tc) | 130A (Tc) | 120A (Tc) | 86A (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 200 V | 200 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-220-3 |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسله | Polar | Trench | Polar | Trench |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3550 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 480W (Tc) | 360W (Tc) | 714W (Tc) | 480W (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 1mA |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| شماره محصول پایه | IXTQ110 | IXTQ130 | IXTQ120 | IXTP86 |
بارگیری داده های IXTQ110N10P PDF و مستندات IXYS را برای IXTQ110N10P - IXYS بارگیری کنید.
IXTQ130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO3PIXTQ120N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 120A TO3PIXTP86N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 86A TO220ABIXTP8P15TIXYS / LittelfuseIXTQ140N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 140A TO3PIXTQ150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO3PIXTQ14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO3PIXTQ110N055PIXYSMOSFET N-CH 55V 110A TO3PIXTQ100N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 100A TO3PIXTQ102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO3PIXTQ160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO3PIXTP88N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 88A TO220ABIXTQ130N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 130A TO3PIXTQ102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO3PIXTQ16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO3PIXTQ150N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 150A TO3PIXTP90N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 90A TO220ABIXTP8N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 8A TO220AB| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.