مشخصات فناوری IXTK80N25
مشخصات فنی IXYS - IXTK80N25 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTK80N25
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-264 (IXTK) | |
| سلسله | MegaMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 33mOhm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 540W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-264-3, TO-264AA | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6000 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 240 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 80A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTK80 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTK80N25 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTK80N25 | IXTK90N15 | IXTK46N50L | IXTK33N50 |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6000 pF @ 25 V | 6400 pF @ 25 V | 7000 pF @ 25 V | 4900 pF @ 25 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 20V | 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| شماره محصول پایه | IXTK80 | IXTK90 | IXTK46 | IXTK33 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 33mOhm @ 500mA, 10V | 16mOhm @ 45A, 10V | 160mOhm @ 500mA, 20V | 170mOhm @ 500mA, 10V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| سلسله | MegaMOS™ | MegaMOS™ | Linear | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 540W (Tc) | 390W (Tc) | 700W (Tc) | 416W (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) | TO-264 (IXTK) |
| بسته بندی / مورد | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | 150 V | 500 V | 500 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 80A (Tc) | 90A (Tc) | 46A (Tc) | 33A (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 260 nC @ 15 V | 250 nC @ 10 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 6V @ 250µA | 4V @ 250µA |
بارگیری داده های IXTK80N25 PDF و مستندات IXYS را برای IXTK80N25 - IXYS بارگیری کنید.
IXTK90N15IXYSMOSFET N-CH 150V 90A TO264IXTK46N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 46A TO264IXTK34N80IXYS / LittelfuseIXTK33N50IXYSMOSFET N-CH 500V 33A TO264IXTK75N30IXYSMOSFET N-CH 300V 75A TO264IXTK80N25PIXYS / LittelfuseIXTK20N150IXYSMOSFET N-CH 1500V 20A TO264IXTK82N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 82A TO264IXTL2X22DND75TIXYS / LittelfuseIXTL2N450IXYSMOSFET N-CH 4500V 2A I5PAKIXTK22N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 22A TO264IXTK90N25L2IXYSMOSFET N-CH 250V 90A TO264IXTK250N10IXYSMOSFET N-CH 100V 250A TO264IXTK62N25IXYSMOSFET N-CH 250V 62A TO264IXTL2X180N10TIXYSMOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAKIXTK82N25IXYS / LittelfuseIXTL2X200N085TIXYSMOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAKIXTK21N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 21A TO264| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.