مشخصات فناوری IXTH76N25T
مشخصات فنی IXYS - IXTH76N25T ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTH76N25T
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | |
| سلسله | Trench | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 39mOhm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 460W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4500 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 92 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 76A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTH76 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTH76N25T دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTH76N25T | IXTH96N20P | IXTH76P10T | IXTH96N25T |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | Trench | Polar | TrenchP™ | Trench |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 1mA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 1mA |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±20V | ±15V | ±30V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 92 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 197 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 39mOhm @ 500mA, 10V | 24mOhm @ 500mA, 10V | 25mOhm @ 38A, 10V | 29mOhm @ 500mA, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4500 pF @ 25 V | 4800 pF @ 25 V | 13700 pF @ 25 V | 6100 pF @ 25 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 460W (Tc) | 600W (Tc) | 298W (Tc) | 625W (Tc) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 76A (Tc) | 96A (Tc) | 76A (Tc) | 96A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | 200 V | 100 V | 250 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| شماره محصول پایه | IXTH76 | IXTH96 | IXTH76 | IXTH96 |
بارگیری داده های IXTH76N25T PDF و مستندات IXYS را برای IXTH76N25T - IXYS بارگیری کنید.
IXTH96N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 96A TO247IXTH76P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 76A TO247IXTH96N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 96A TO247
IXTH86N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 86A TO247IXTH75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO247IXTH6N90IXYSMOSFET N-CH 900V 6A TO247IXTH80N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 80A TO247IXTH72N20IXYSMOSFET N-CH 200V 72A TO247IXTH6N90AIXYSMOSFET N-CH 900V 6A TO247IXTH88N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A TO247IXTH90N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 90A TO247IXTH72N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 72A TO247IXTH80N20LIXYSMOSFET N-CH 200V 80A TO247IXTH72N20 CMH82N25 MOSIXYS / LittelfuseIXTH75N15IXYSMOSFET N-CH 150V 75A TO247IXTH88N15IXYSMOSFET N-CH 150V 88A TO247IXTH6N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 6A TO247IXTH6N80AIXYSMOSFET N-CH 800V 6A TO247| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.