مشخصات فناوری IXTH30N50L2
مشخصات فنی IXYS - IXTH30N50L2 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTH30N50L2
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | |
| سلسله | Linear L2™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 200mOhm @ 15A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 400W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8100 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 240 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 30A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTH30 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTH30N50L2 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTH30N50L2 | IXTH34N65X2 | IXTH32N65X | IXTH24P20 |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 200mOhm @ 15A, 10V | 105mOhm @ 17A, 10V | 135mOhm @ 16A, 10V | 150mOhm @ 500mA, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| سلسله | Linear L2™ | Ultra X2 | Ultra X | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 650 V | 650 V | 200 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 400W (Tc) | 540W (Tc) | 500W (Tc) | 300W (Tc) |
| شماره محصول پایه | IXTH30 | IXTH34 | IXTH32 | IXTH24 |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 30A (Tc) | 34A (Tc) | 32A (Tc) | 24A (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8100 pF @ 25 V | 3120 pF @ 25 V | 2205 pF @ 25 V | 4200 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 4mA | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 240 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
بارگیری داده های IXTH30N50L2 PDF و مستندات IXYS را برای IXTH30N50L2 - IXYS بارگیری کنید.
IXTH34N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 34A TO247
IXTH39N10MAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH28N50QIXYS / LittelfuseIXTH32N65XIXYSMOSFET N-CH 650V 32A TO247IXTH24P20IXYSMOSFET P-CH 200V 24A TO247IXTH30N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO247IXTH30N25IXYSMOSFET N-CH 250V 30A TO247IXTH36P10IXYSMOSFET P-CH 100V 36A TO247IXTH2N150LIXYSMOSFET N-CH 1500V 2A TO247IXTH3N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 3A TO247IXTH30N50IXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO247IXTH3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO247IXTH30N60L2IXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO247IXTH260N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 260A TO247IXTH30N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO247IXTH26P20PIXYSMOSFET P-CH 200V 26A TO247IXTH26N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 26A TO247IXTH35N30IXYS / Littelfuse| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.