مشخصات فناوری IXTH130N20T
مشخصات فنی IXYS - IXTH130N20T ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTH130N20T
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | |
| سلسله | Trench | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 830W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8800 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 150 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 130A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTH130 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTH130N20T دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTH130N20T | IXTH130N10T | IXTH14N80 | IXTH13N110 |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| شماره محصول پایه | IXTH130 | IXTH130 | IXTH14 | IXTH13 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 500mA, 10V | 9.1mOhm @ 25A, 10V | 700mOhm @ 500mA, 10V | 920mOhm @ 500mA, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 100 V | 800 V | 1100 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8800 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 5650 pF @ 25 V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| سلسله | Trench | Trench | MegaMOS™ | MegaMOS™ |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 150 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 830W (Tc) | 360W (Tc) | 300W (Tc) | 360W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 130A (Tc) | 130A (Tc) | 14A (Tc) | 13A (Tc) |
بارگیری داده های IXTH130N20T PDF و مستندات IXYS را برای IXTH130N20T - IXYS بارگیری کنید.
IXTH12P25AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH12N45MAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO247IXTH14N80IXYSMOSFET N-CH 800V 14A TO247IXTH13N110IXYSMOSFET N-CH 1100V 13A TO247IXTH12N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO247-3IXTH14N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO247IXTH140P05TIXYSMOSFET P-CH 50V 140A TO247IXTH12N80IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH150N17TSNIXYS / LittelfuseIXTH12N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 12A TO247IXTH15N45AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH13N80IXYSMOSFET N-CH 800V 13A TO247IXTH12N50AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH1542IXYS / LittelfuseIXTH12N90IXYSMOSFET N-CH 900V 12A TO247IXTH130N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 130A TO247IXTH150N17TIXYSMOSFET N-CH 175V 150A TO247| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.