مشخصات فناوری IXTA48P05T
مشخصات فنی IXYS - IXTA48P05T ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTA48P05T
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±15V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-263AA | |
| سلسله | TrenchP™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 30mOhm @ 24A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3660 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 53 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTA48 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTA48P05T دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTA48P05T | IXTA60N20T | IXTA52P10P | IXTA50N25T |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3660 pF @ 25 V | 4530 pF @ 25 V | 2845 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V |
| VGS (حداکثر) | ±15V | ±20V | ±20V | ±30V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 53 nC @ 10 V | 73 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | 500W (Tc) | 300W (Tc) | 400W (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 5V @ 1mA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50 V | 200 V | 100 V | 250 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | 60A (Tc) | 52A (Tc) | 50A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-263AA | TO-263AA | TO-263AA | TO-263AA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| شماره محصول پایه | IXTA48 | IXTA60 | IXTA52 | IXTA50 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 30mOhm @ 24A, 10V | 40mOhm @ 30A, 10V | 50mOhm @ 52A, 10V | 50mOhm @ 25A, 10V |
| سلسله | TrenchP™ | Trench | PolarP™ | Trench |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
بارگیری داده های IXTA48P05T PDF و مستندات IXYS را برای IXTA48P05T - IXYS بارگیری کنید.
IXTA74N20PIXYS / LittelfuseIXTA60N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 60A TO263IXTA50N28IXYS / LittelfuseIXTA52P10PIXYSMOSFET P-CH 100V 52A TO263IXTA50N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 50A TO263IXTA42N25TTRLIXYS / LittelfuseIXTA76N075IXYS / LittelfuseIXTA42N25TIXYS / LittelfuseIXTA4N150HVIXYSMOSFET N-CH 1500V 4A TO263IXTA3N120 MOSIXYS / LittelfuseIXTA3N150HVIXYSMOSFET N-CH 1500V 3A TO263IXTA44P15TIXYSMOSFET P-CH 150V 44A TO263IXTA6N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 6A TO263IXTA3N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 3A TO263IXTA50N28TTRLIXYS / LittelfuseIXTA3N120 TRLIXYS / LittelfuseIXTA3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO263IXTA3N120-TRLIXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO263| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.