مشخصات فناوری IXFN90N85X
مشخصات فنی IXYS - IXFN90N85X ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXFN90N85X
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 8mA | |
VGS (حداکثر) | ±30V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | SOT-227B | |
سلسله | HiPerFET™, Ultra X | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 41mOhm @ 500mA, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 1200W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | SOT-227-4, miniBLOC | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 13300 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 340 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 850 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 90A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IXFN90 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXFN90N85X دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IXFN90N85X | IXFN82N60P | IXFN82N60Q3 | IXFP130N10T |
سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
شماره محصول پایه | IXFN90 | IXFN82 | IXFN82 | IXFP130 |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
کننده بسته بندی دستگاه | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | TO-220-3 |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 340 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 275 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V |
بسته بندی / مورد | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 6.5V @ 8mA | 4.5V @ 1mA |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 90A (Tc) | 72A (Tc) | 66A (Tc) | 130A (Tc) |
VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 41mOhm @ 500mA, 10V | 75mOhm @ 41A, 10V | 75mOhm @ 41A, 10V | 9.1mOhm @ 25A, 10V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 1200W (Tc) | 1040W (Tc) | 960W (Tc) | 360W (Tc) |
سلسله | HiPerFET™, Ultra X | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q3 Class | HiPerFET™, Trench |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 13300 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 13500 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 850 V | 600 V | 600 V | 100 V |
بارگیری داده های IXFN90N85X PDF و مستندات IXYS را برای IXFN90N85X - IXYS بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.