مشخصات فناوری IXFK48N55
مشخصات فنی IXYS - IXFK48N55 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXFK48N55
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 8mA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-264AA (IXFK) | |
سلسله | HiPerFET™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 110mOhm @ 24A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 560W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-264-3, TO-264AA | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8900 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 330 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 550 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IXFK48 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXFK48N55 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IXFK48N55 | IXFK48N50 | IXFK55N50 | IXFK44N80P |
سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 560W (Tc) | 500W (Tc) | 625W (Tc) | 1040W (Tc) |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
بسته بندی / مورد | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 8mA | 4V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 5V @ 8mA |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8900 pF @ 25 V | 8400 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V | 12000 pF @ 25 V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | 48A (Tc) | 55A (Tc) | 44A (Tc) |
شماره محصول پایه | IXFK48 | IXFK48 | IXFK55 | IXFK44 |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 110mOhm @ 24A, 10V | 100mOhm @ 24A, 10V | 90mOhm @ 27.5A, 10V | 190mOhm @ 22A, 10V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 550 V | 500 V | 500 V | 800 V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 330 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 198 nC @ 10 V |
سلسله | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
بارگیری داده های IXFK48N55 PDF و مستندات IXYS را برای IXFK48N55 - IXYS بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.