مشخصات فناوری IXFH15N100
مشخصات فنی IXYS - IXFH15N100 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXFH15N100
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 4mA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | |
سلسله | HiPerFET™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 700mOhm @ 500mA, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 360W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4500 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 220 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1000 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IXFH15 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXFH15N100 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IXFH15N100 | IXFH160N15T | IXFH15N60 | IXFH15N100P |
سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 4mA | 5V @ 1mA | 4.5V @ 4mA | 6.5V @ 1mA |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4500 pF @ 25 V | 8800 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 5140 pF @ 25 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15A (Tc) | 160A (Tc) | 15A (Tc) | 15A (Tc) |
سلسله | HiPerFET™ | TrenchHV™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1000 V | 150 V | 600 V | 1000 V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 220 nC @ 10 V | 160 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 97 nC @ 10 V |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
FET ویژگی | - | - | - | - |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 360W (Tc) | 830W (Tc) | 300W (Tc) | 543W (Tc) |
شماره محصول پایه | IXFH15 | IXFH160 | IXFH15 | IXFH15 |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 700mOhm @ 500mA, 10V | 9.6mOhm @ 500mA, 10V | 500mOhm @ 500mA, 10V | 760mOhm @ 500mA, 10V |
بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
بارگیری داده های IXFH15N100 PDF و مستندات IXYS را برای IXFH15N100 - IXYS بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.