مشخصات فناوری IRF9630
مشخصات فنی Harris Corporation - IRF9630 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRF9630
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 800mOhm @ 3.9A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 74W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 700 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 29 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRF9630 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF9630 | IRF9620PBF | IRF9620S | IRF9630STRLPBF |
| سازنده | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 74W (Tc) | 40W (Tc) | 3W (Ta), 40W (Tc) | 3W (Ta), 74W (Tc) |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 800mOhm @ 3.9A, 10V | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V | 800mOhm @ 3.9A, 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) | 3.5A (Tc) | 3.5A (Tc) | 6.5A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 700 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V |
| سلسله | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 29 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
IRF9620PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A TO220ABIRF9630STRRPBFIRIRF9620SVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAKIRF9630STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9620STRLVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAKIRF9630Vishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IRF9630PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF9630STRRVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9620Harris Corporation3.5A, 200V, 1.500 OHM, P-CHANNELIRF9620S MOSIRIRF9630PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABIRF9630SPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9621Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9620STRIRIRF9620STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAKIRF9630SVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKIRF9622Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9630S MOSIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.