مشخصات فناوری IRF9532
مشخصات فنی Harris Corporation - IRF9532 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRF9532
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 400mOhm @ 6.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 75W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 500 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 45 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRF9532 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF9532 | IRF9530S | IRF9531 | IRF9540NLPBF |
| سازنده | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Infineon Technologies |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 500 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | - | 1450 pF @ 25 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| سلسله | - | - | - | HEXFET® |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | TO-262 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 60 V | 100 V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±320V | ±20V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 400mOhm @ 6.5A, 10V | 300mOhm @ 7.2A, 10V | - | 117mOhm @ 14A, 10V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A (Tc) | 12A (Tc) | 12A | 23A (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 75W (Tc) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | 75W | 3.1W (Ta), 110W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 45 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | - | 110 nC @ 10 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | - | 10V |
IRF9530S MOSIRIRF9530SVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAKIRF9540NPBF MOSIRIRF9531Harris CorporationMOSFET P-CH 60V 12A TO220ABIRF9540NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A TO262IRF9540NSIRIRF9540NIRIRF9540N CHNIRIRF9530PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A TO220ABIRF9540Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 19A TO220ABIRF9530STRRPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAKIRF9540NS F9540NSIR
IRF9540Fairchild SemiconductorIRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C
IRF9530PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF9540NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A TO220ABIRF9530STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAKIRF9530S F9530SIR
IRF9530NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A D2PAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.