مشخصات فناوری IRF9520
مشخصات فنی Harris Corporation - IRF9520 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRF9520
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 600mOhm @ 3.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 40W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 300 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRF9520 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF9520 | IRF9520 | IRF9520NS | IRF9510STRR |
| سازنده | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-220AB | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 40W (Tc) | 60W (Tc) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| سلسله | - | - | HEXFET® | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A (Tc) | 6.8A (Tc) | 6.8A (Tc) | 4A (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 600mOhm @ 3.5A, 10V | 600mOhm @ 4.1A, 10V | 480mOhm @ 4A, 10V | 1.2Ohm @ 2.4A, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 300 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
IRF9520NIRIRF9520NSPBF MOSIRIRF9520Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9520NSInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9510STRL MOSIRIRF9510STRRVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520NS/F9520NSIRIRF9520NSTRLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9510SPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9510STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9510STRPBFIR
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9510STRLVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9511Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9520N MOSIR
IRF9520NLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A TO262IRF9510STRLPBF MOSIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.