مشخصات فناوری IRF712
مشخصات فنی Harris Corporation - IRF712 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRF712
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5Ohm @ 1.1A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 36W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 135 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 12 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 400 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRF712 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF712 | IRF710SPBF | IRF710S | IRF710PBF |
| سازنده | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| سلسله | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) | 2A (Tc) | 2A (Tc) | 2A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-220AB |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 12 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5Ohm @ 1.1A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 36W (Tc) | 3.1W (Ta), 36W (Tc) | 3.1W (Ta), 36W (Tc) | 36W (Tc) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 135 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
IRF710SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A D2PAKIRF710SVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A D2PAKIRF710PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF7201 MOSIR
IRF7171MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFETIRF720Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABIRF7108IRIRF7201TR MOSIR
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIRF7108TRIRFIRF7201PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF7107TRPBFIRIRF710ASECIRF7106TRPBFIRFIRF7201TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
IRF720onsemiMOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABIRF710STRPBFIRIRF7201Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.