مشخصات فناوری IRF612
مشخصات فنی Harris Corporation - IRF612 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRF612
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.4Ohm @ 1.6A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 43W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 135 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 8.2 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRF612 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF612 | IRF620 | IRF614 | IRF611 |
| سازنده | Harris Corporation | STMicroelectronics | Vishay Siliconix | Harris Corporation |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-220 | TO-220AB | TO-220AB |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 43W (Tc) | 70W (Tc) | 36W (Tc) | 43W (Tc) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) | 6A (Tc) | 2.7A (Tc) | 3.3A (Tc) |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 8.2 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| سلسله | - | PowerMESH™ II | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 135 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V | 135 pF @ 25 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.4Ohm @ 1.6A, 10V | 800mOhm @ 3A, 10V | 2Ohm @ 1.6A, 10V | 1.5Ohm @ 1.6A, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 200 V | 250 V | 150 V |
IRF620STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 6A TO220ABIRF614Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.7A TO220ABIRF611Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF610STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAKIRF614STRRPBF MOSIRIRF610PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A TO220ABIRF610S MOSIR
IRF610PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF613Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF614STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAKIRF610LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAKIRF614S MOSIR
IRF610B MOSFairchild (onsemi)
IRF6156Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FETIRF610STRPBFIRIRF610SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAKIRF614PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.7A TO220ABIRF614Harris CorporationADVANCED POWER MOSFET| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.