مشخصات فناوری HGT1S3N60B3DS
مشخصات فنی Harris Corporation - HGT1S3N60B3DS ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - HGT1S3N60B3DS
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| ولتاژ - گردآورنده امیتر تفکیک (حداکثر) | 600 V | |
| VCE (در) (حداکثر) @ VGE، آی سی | 2.1V @ 15V, 3.5A | |
| شرایط آزمایشی | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V | |
| TD (روشن / خاموش) @ 25 ° C | 18ns/105ns | |
| سوئیچینگ انرژی | 66µJ (on), 88µJ (off) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-263AB | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 28 ns | |
| قدرت - حداکثر | 33.3 W |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| نوع ورودی | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| گیت | 18 nC | |
| در حال حاضر - گردآورنده پالس (ICM) | 20 A | |
| در حال حاضر - گردآورنده (IC) (حداکثر) | 7 A |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation HGT1S3N60B3DS دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | HGT1S3N60B3DS | HGT1S7N60A4DS | HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S20N60C3R |
| سازنده | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
| در حال حاضر - گردآورنده (IC) (حداکثر) | 7 A | 34 A | 17 A | 40 A |
| گیت | 18 nC | 37 nC | 21 nC | 116 nC |
| نوع ورودی | Standard | Standard | Standard | Standard |
| شرایط آزمایشی | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V | - |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 28 ns | 34 ns | 29 ns | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-263AB | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| قدرت - حداکثر | 33.3 W | 125 W | 70 W | 164 W |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| نوع IGBT | - | - | - | - |
| TD (روشن / خاموش) @ 25 ° C | 18ns/105ns | 11ns/100ns | 6ns/73ns | - |
| VCE (در) (حداکثر) @ VGE، آی سی | 2.1V @ 15V, 3.5A | 2.7V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 3A | 2.2V @ 15V, 20A |
| در حال حاضر - گردآورنده پالس (ICM) | 20 A | 56 A | 40 A | 80 A |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| سوئیچینگ انرژی | 66µJ (on), 88µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) | - |
| ولتاژ - گردآورنده امیتر تفکیک (حداکثر) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
HGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILDHGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N60C3SFairchild (onsemi)HGT1S20N60C3RHarris Corporation40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4DS9A MOSFairchild (onsemi)
HGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT1S7N60A4DSonsemiIGBT 600V 34A 125W TO263ABHGT1S2N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263ABHGT1S7N60A4S9AFairchild (onsemi)HGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S5N120CNDSFairchild (onsemi)
HGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAK
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S7N60A4DS.G7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DS9AFairchild SemiconductorIGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.