مشخصات فناوری FQS4900TF
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQS4900TF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQS4900TF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.95V @ 20mA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 550mOhm @ 650mA, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.1nC @ 5V | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V, 300V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A, 300mA | |
| پیکر بندی | N and P-Channel | |
| شماره محصول پایه | FQS4900 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQS4900TF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQS4900TF | FQS4903TF | IRF7325 | FQS4901TF |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies | onsemi |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.95V @ 20mA | 4V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 4V @ 250µA |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W | 2W | 2W |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET ویژگی | - | - | Logic Level Gate | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسله | QFET® | QFET® | HEXFET® | QFET® |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.1nC @ 5V | 8.2nC @ 10V | 33nC @ 4.5V | 7.5nC @ 10V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SO | 8-SOIC |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | 200pF @ 25V | 2020pF @ 10V | 210pF @ 25V |
| پیکر بندی | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| شماره محصول پایه | FQS4900 | FQS4903 | IRF732 | FQS4901 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V, 300V | 500V | 12V | 400V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A, 300mA | 370mA | 7.8A | 450mA |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 550mOhm @ 650mA, 10V | 6.2Ohm @ 185mA, 10V | 24mOhm @ 7.8A, 4.5V | 4.2Ohm @ 225mA, 10V |
FQS4903TFonsemiMOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
FQS4410AMI Semiconductor/onsemi
FQS4410-NLFairchild (onsemi)IRF7325Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOICFQS4901TFonsemiMOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC
IRF7335D1TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOICFQS4900AMI Semiconductor/onsemi
CAS100H12AM1Cree WolfspeedMOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
SI6963BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
IAUC60N04S6N031HATMA1Infineon TechnologiesIAUC60N04S6N031HATMA1FQS4900TF MOSFairchild (onsemi)FQS4903TF MOSFairchild (onsemi)FQS4901TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
NTGD3133PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
STS4DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOICFQS4900TF.Fairchild (onsemi)FQS4900TFonsemiMOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOPAO4622Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.