مشخصات فناوری FDMA291P
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDMA291P ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDMA291P
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±8V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-MicroFET (2x2) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 42mOhm @ 6.6A, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.4W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 6-WDFN Exposed Pad | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1000 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 14 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDMA291P دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDMA291P | FDMA410NZ | FDMA291P | FDMA2002NZ MOS |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild (onsemi) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 14 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 4.5 V | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1000 pF @ 10 V | 1080 pF @ 10 V | 1000 pF @ 10 V | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | - |
| بسته بندی / مورد | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) | 9.5A (Ta) | 6.6A (Ta) | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| VGS (حداکثر) | ±8V | ±8V | ±8V | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 20 V | 20 V | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 42mOhm @ 6.6A, 4.5V | 23mOhm @ 9.5A, 4.5V | 42mOhm @ 6.6A, 4.5V | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.4W (Ta) | 2.4W (Ta) | 2.4W (Ta) | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
FDMA2002NZ MOSFairchild (onsemi)FDMA2002NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMA1029PZonsemiMOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFETFDMA1032CZonsemiMOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2FDMA410NZonsemiMOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFETFDMA3023PZonsemiMOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFETFDMA3027PZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA1029PZ MOSFairchild (onsemi)FDMA3028N MOSFairchild (onsemi)FDMA291PonsemiMOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFETFDMA1032CZ MOSFairchild (onsemi)FDMA2002NZonsemiMOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
FDMA3027PZonsemiMOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFETFDMA3028NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA291P.Fairchild (onsemi)FDMA3028NonsemiMOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFETFDMA1031CZn/sFDMA291P MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.