مشخصات فناوری SI4532DY
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - SI4532DY ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - SI4532DY
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 65mOhm @ 3.9A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 900mW | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 235pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15nC @ 10V | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.9A, 3.5A | |
| پیکر بندی | N and P-Channel | |
| شماره محصول پایه | SI4532 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor SI4532DY دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI4532DY | SI4532CDY-T1-GE3 | SI4532ADY-T1-E3 | SI4532DY |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | onsemi |
| FET ویژگی | - | - | Logic Level Gate | - |
| سلسله | - | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | SI4532 | SI4532 | SI4532 | SI4532 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 235pF @ 10V | 305pF @ 15V | - | 235pF @ 10V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15nC @ 10V | 9nC @ 10V | 16nC @ 10V | 15nC @ 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| پیکر بندی | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| قدرت - حداکثر | 900mW | 2.78W | 1.13W, 1.2W | 900mW |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 65mOhm @ 3.9A, 10V | 47mOhm @ 3.5A, 10V | 53mOhm @ 4.9A, 10V | 65mOhm @ 3.9A, 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.9A, 3.5A | 6A, 4.3A | 3.7A, 3A | 3.9A, 3.5A |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
SI4532CDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOICSI4532ADY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
SI4532DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4532ADYElectro-Films (EFI) / VishaySI4532DY MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4532DYonsemiMOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOICSI4532DY-T1SILICONIXSI4532DY-NLVBSEMISi4532CDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4532ADY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4532AEY-T1-E3VBSEMI
SI4532DY.Fairchild (onsemi)SI4532DY-T1-GE3.Fairchild (onsemi)SI4532ADY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySi4532CDY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi4532DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4532DY-NL.Fairchild (onsemi)Si4532CDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.