مشخصات فناوری NTR1P02LT1G
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - NTR1P02LT1G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - NTR1P02LT1G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.25V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±12V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 (TO-236) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 220mOhm @ 750mA, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 400mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 225 pF @ 5 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 5.5 nC @ 4 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor NTR1P02LT1G دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTR1P02LT1G | NTR1P02T1 | NTR1P02LT1G | NTR1P02T1G |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 5.5 nC @ 4 V | 2.5 nC @ 5 V | 5.5 nC @ 4 V | 2.5 nC @ 5 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.25V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 1.25V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 220mOhm @ 750mA, 4.5V | 180mOhm @ 1.5A, 10V | 220mOhm @ 750mA, 4.5V | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| VGS (حداکثر) | ±12V | ±20V | ±12V | ±20V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 225 pF @ 5 V | 165 pF @ 5 V | 225 pF @ 5 V | 165 pF @ 5 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) |
| سلسله | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) | 1A (Ta) | 1.3A (Ta) | 1A (Ta) |
NTR2101PSIPUSEMINTR1P02T1onsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3NTR1P02LT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3NTR06B1503BTRFNIC
NTR1P02LT1G-001AMI Semiconductor/onsemiNTR1P02T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3NTR1P02LAMI Semiconductor/onsemiNTR2101NT1GAMI Semiconductor/onsemiNTR1P02AMI Semiconductor/onsemiNTR10B4991CTRFNICCOMPNTR0202PLT1onsemiMOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3NTR1P02T3GonsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3NTR1P02LT3GonsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
NTR04D2003CTRFBourns, Inc.NTR1P02LT1HonsemiSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINTR0202PLT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3NTR1P02LT1onsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23NTR0202PLT3GonsemiMOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.