مشخصات فناوری IRFW520ATM
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - IRFW520ATM ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - IRFW520ATM
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 200mOhm @ 4.6A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 480 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor IRFW520ATM دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFW520ATM | IRFW530ATM | IRFW540ATM | IRFW540ATM |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 200mOhm @ 4.6A, 10V | 110mOhm @ 7A, 10V | 52mOhm @ 14A, 10V | 52mOhm @ 14A, 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | D2PAK | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) | 14A (Tc) | 28A (Tc) | 28A (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| سلسله | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 480 pF @ 25 V | 790 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
IRFW530ATMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFW540ATMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 28A D2PAKIRFW540ASECIRFW550AFairchild (onsemi)IRFUC020PBFIRIRFW540ATMonsemiMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFU9N20DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
IRFUC20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
IRFW530ATM MOSSamsung SemiconductorIRFUC20Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AAIRFW530ATM-NLFairchild (onsemi)IRFW550ATMFairchild Semiconductor40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL MO
IRFUC20PBF FUC20Electro-Films (EFI) / VishayIRFUC20PBF MOSIRIRFW510ATMFairchild (onsemi)IRFW540ATM MOSIRIRFUC20 MOSIRIRFU9N20DPBFIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.