مشخصات فناوری IRFS654B
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - IRFS654B ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - IRFS654B
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220F | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 140mOhm @ 10.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 50W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3400 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 123 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 21A (Tj) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor IRFS654B دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFS654B | IRFS720B | IRFS640A | IRFS634B_FP001 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3400 pF @ 25 V | 600 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V | 1000 pF @ 25 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 50W (Tc) | 33W (Tc) | 43W (Tc) | 38W (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 123 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 58 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | 400 V | 200 V | 250 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220F | TO-220F | TO-220F | TO-220F-3 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 21A (Tj) | 3.3A (Tj) | 9.8A (Tc) | 8.1A (Tc) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 140mOhm @ 10.5A, 10V | 1.75Ohm @ 1.65A, 10V | 180mOhm @ 4.9A, 10V | 450mOhm @ 4.05A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IRFS654AFSCIRFS640BFairchild (onsemi)IRFS730Fairchild (onsemi)IRFS654BTFairchild (onsemi)IRFS720BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFS640Fairchild (onsemi)IRFS640AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFS720SECIRFS730AFairchild (onsemi)IRFS650BFairchild (onsemi)IRFS634B_FP001Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220FIRFS740BTFairchild (onsemi)IRFS644BFairchild (onsemi)IRFS740BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
IRFS634B_FP001onsemiMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220FIRFS730BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFS740SECIRFS634BTFairchild SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 250V 8.1A T/R| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.