مشخصات فناوری IRF530A
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - IRF530A ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - IRF530A
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | - | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 110mOhm @ 7A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 55W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 790 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 36 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor IRF530A دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF530A | IRF530NSPBF | IRF530L | IRF5305SPBF |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 55W (Tc) | 3.8W (Ta), 70W (Tc) | - | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 36 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | D2PAK | TO-262 | D2PAK |
| VGS (حداکثر) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 790 pF @ 25 V | 920 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 14A (Tc) | 17A (Tc) | 14A (Tc) | 31A (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 110mOhm @ 7A, 10V | 90mOhm @ 9A, 10V | 160mOhm @ 8.4A, 10V | 60mOhm @ 16A, 10V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| سلسله | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 100 V | 55 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
IRF530NSPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF530LVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO262IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRF530NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A TO220ABIRF5305STRIR
IRF530AonsemiMOSFET N-CH 100V 14A TO220-3IRF530NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRF530NSTRLIRIRF530NIRIRF5305S F5305SIRIRF5305S MOSIRIRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRF5305TRPBFIRIRF5305S/F5305SIRIRF530NPBF MOSIRIRF5305STRPBFVBSEMI| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.