مشخصات فناوری HUF76419S3ST
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - HUF76419S3ST ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - HUF76419S3ST
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±16V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK (TO-263) | |
سلسله | UltraFET™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 35mOhm @ 29A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 75W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
بسته بندی کردن | Bulk |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 900 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 28 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor HUF76419S3ST دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | HUF76419S3ST | HUF76423D3 | HUF76423P3 | HUF76419P3 |
سازنده | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
FET ویژگی | - | - | - | - |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 28 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 29A (Tc) | 20A (Tc) | 35A (Tc) | 29A (Tc) |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-220-3 | TO-220-3 |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
VGS (حداکثر) | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 900 pF @ 25 V | 1060 pF @ 25 V | 1060 pF @ 25 V | 900 pF @ 25 V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 75W (Tc) | 85W (Tc) | 85W (Tc) | 75W (Tc) |
کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK (TO-263) | I-PAK | TO-220-3 | TO-220-3 |
سلسله | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 35mOhm @ 29A, 10V | 32mOhm @ 20A, 10V | 30mOhm @ 35A, 10V | 35mOhm @ 29A, 10V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.