مشخصات فناوری HUF75545S3S
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - HUF75545S3S ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - HUF75545S3S
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK (TO-263) | |
سلسله | UltraFET™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 10mOhm @ 75A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 270W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3750 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 235 nC @ 20 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor HUF75545S3S دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | HUF75545S3S | HUF75545S3ST | HUF75545S3ST | HUF75545S3 |
سازنده | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3750 pF @ 25 V | 3750 pF @ 25 V | 3750 pF @ 25 V | 3750 pF @ 25 V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 10mOhm @ 75A, 10V | 10mOhm @ 75A, 10V | 10mOhm @ 75A, 10V | 10mOhm @ 75A, 10V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 270W (Tc) | 270W (Tc) | 270W (Tc) | 270W (Tc) |
سلسله | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 235 nC @ 20 V | 235 nC @ 20 V | 235 nC @ 20 V | 235 nC @ 20 V |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FET ویژگی | - | - | - | - |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.