مشخصات فناوری FQU3N50CTU
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQU3N50CTU ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQU3N50CTU
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | I-PAK | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 35W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 365 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 13 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQU3N50CTU دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQU3N50CTU | FQU2N90TU | FQU2N90TU-WS | FQU2N90TU |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) | 1.7A (Tc) | 1.7A (Tc) | 1.7A (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 13 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 900 V | 900 V | 900 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 365 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کننده بسته بندی دستگاه | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V | 7.2Ohm @ 850mA, 10V | 7.2Ohm @ 850mA, 10V | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 35W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FQU4N20VBSEMIFQU4N25FSCFQU2N90TUonsemiMOSFET N-CH 900V 1.7A IPAKFQU2N90TU-WSonsemiMOSFET N-CH 900V 1.7A IPAKFQU2N90TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 1.7A IPAKFQU30N06LFairchild (onsemi)FQU4N50SFSCFQU3N60TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAKFQU3N50CTUonsemiMOSFET N-CH 500V 2.5A IPAKFQU3N50CFairchild (onsemi)FQU3N40Fairchild (onsemi)FQU2N90SFSCFQU4N50TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKFQU3N60CTUonsemiMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAKFQU30N06FairchildFQU4N50TU-WSonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKFQU3N60TUonsemiMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAKFQU4N50TUonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.