مشخصات فناوری FQP9N50C
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQP9N50C ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQP9N50C
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 800mOhm @ 4.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 135W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1030 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQP9N50C دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP9N50C | FQP9N30 | FQPF10N20C | FQP9N50 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 135W (Tc) | 98W (Tc) | 38W (Tc) | 147W (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 9.5A (Tc) | 9A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220F-3 | TO-220-3 |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 300 V | 200 V | 500 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1030 pF @ 25 V | 750 pF @ 25 V | 510 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 800mOhm @ 4.5A, 10V | 450mOhm @ 4.5A, 10V | 360mOhm @ 4.75A, 10V | 730mOhm @ 4.5A, 10V |
FQP9N30onsemiMOSFET N-CH 300V 9A TO220-3FQPF10N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 9.5A TO220FFQP9N25C MOSFairchild (onsemi)FQP9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9N50onsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3FQP9N90CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQP9N25CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3FQP9N25Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQP9N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 8A TO220-3FQP9N30Fairchild SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 9FQPF10N20Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 6.8A TO220FFQP9N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9N60CFairchild (onsemi)FQPF1060CFairchild (onsemi)FQPF10N20CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQP9P25onsemiMOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3FQPF10N20onsemiMOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.