مشخصات فناوری FQP7N80C
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQP7N80C ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQP7N80C
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.9Ohm @ 3.3A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 167W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1680 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 800 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQP7N80C دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP7N80C | FQP7N20 | FQP7N60 | FQP7P06 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.9Ohm @ 3.3A, 10V | 690mOhm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3.7A, 10V | 410mOhm @ 3.5A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 800 V | 200 V | 600 V | 60 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±25V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 167W (Tc) | 63W (Tc) | 142W (Tc) | 45W (Tc) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) | 6.6A (Tc) | 7.4A (Tc) | 7A (Tc) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1680 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 295 pF @ 25 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
FQP7N20onsemiMOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3FQP7N60onsemiMOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3FQP7P06onsemiMOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
FQP7N80C MOSFairchild (onsemi)FQP7N10onsemiMOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3FQP7N40onsemiMOSFET N-CH 400V 7A TO220-3FQP7N65ConsemiMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3FQP7N65CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3FQP80N06Fairchild (onsemi)FQP7N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3FQP7P06 MOSFairchild (onsemi)FQP7N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7P06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQP7N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP80N08Fairchild (onsemi)FQP7P20onsemiMOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3FQP7N60CFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.