مشخصات فناوری FQP16N25
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQP16N25 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQP16N25
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 230mOhm @ 8A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 142W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | |
| وضعیت رسیدن | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQP16N25 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP16N25 | FQP16N25C-F105 | FQP16N15 | FQP14N30 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 16A (Tc) | - | 16.4A (Tc) | 14.4A (Tc) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200 pF @ 25 V | - | 910 pF @ 25 V | 1360 pF @ 25 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | - | 10V | 10V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 230mOhm @ 8A, 10V | - | 160mOhm @ 8.2A, 10V | 290mOhm @ 7.2A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | - | 150 V | 300 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 142W (Tc) | - | 108W (Tc) | 147W (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| VGS (حداکثر) | ±30V | - | ±25V | ±30V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | QFET® | * | QFET® | QFET® |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | - | 30 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
FQP16N25C-F105Fairchild SemiconductorFQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TRFQP16N15onsemiMOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3FQP14N30onsemiMOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3FQP16N25onsemiMOSFET N-CH 250V 16A TO220-3FQP15P12onsemiMOSFET P-CH 120V 15A TO220-3FQP15N60CFairchild (onsemi)FQP17N08onsemiMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3FQP17N08LonsemiMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3FQP16N15 MOSFairchild (onsemi)FQP16N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3FQP15N50VBSEMIFQP16N25CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3FQP17N08LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
FQP16N25C-F105onsemiFQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TRFQP16N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3FQP15P12Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 120V 15A TO220-3FQP15N25CFairchild (onsemi)FQP17N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.