مشخصات فناوری FQD6N60CTM
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQD6N60CTM ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQD6N60CTM
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252, (D-Pak) | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2Ohm @ 2A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 80W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 810 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQD6N60CTM دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQD6N60CTM | FQD6N60CTM | FQD6P25TF | FQD6N50CTM |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2Ohm @ 2A, 10V | 2Ohm @ 2A, 10V | 1.1Ohm @ 2.35A, 10V | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 250 V | 500 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A (Tc) | 4A (Tc) | 4.7A (Tc) | 4.5A (Tc) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 80W (Tc) | 80W (Tc) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | 2.5W (Ta), 61W (Tc) |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 810 pF @ 25 V | 810 pF @ 25 V | 780 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FQD6N60CTMonsemiMOSFET N-CH 600V 4A DPAKFQD6P25TFonsemiMOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
FQD7N10Fairchild (onsemi)FQD6N60CSFairchild (onsemi)FQD6N50CTMonsemiMOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
FQD6N60CSTMicroelectronicsFQD6N50FAIRCHILDRCHILDFQD6P25TFFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 250V 4.7A DPAKFQD6N50CVBsemiFQD6N50CTMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQD6P25TMonsemiMOSFET P-CH 250V 4.7A DPAKFQD6N60Fairchild (onsemi)FQD7N10LFairchild (onsemi)FQD7N10L MOSFairchild (onsemi)FQD6N60C MOSFairchild (onsemi)FQD6P25FSCFQD7N10LTFonsemiMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKFQD6N50C MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.