مشخصات فناوری FQA27N25
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQA27N25 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQA27N25
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 110mOhm @ 13.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 210W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2450 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 65 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQA27N25 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQA27N25 | FQA27N25 | FQA24N50 | FQA24N50F |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | 250 V | 500 V | 500 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 210W (Tc) | 210W (Tc) | 290W (Tc) | 290W (Tc) |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | FRFET® |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 110mOhm @ 13.5A, 10V | 110mOhm @ 13.5A, 10V | 200mOhm @ 12A, 10V | 200mOhm @ 12A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 27A (Tc) | 27A (Tc) | 24A (Tc) | 24A (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | TO-3PN | TO-3P | TO-3P |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 65 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2450 pF @ 25 V | 2450 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
FQA27N25onsemiMOSFET N-CH 250V 27A TO3PN
FQA28N20Fairchild (onsemi)FQA28N50 MOSFairchild (onsemi)FQA24N50onsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PFQA24N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PFQA20N50Fairchild (onsemi)FQA24N50 MOSFairchild (onsemi)FQA28N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 28.4A TO3PFQA24N60onsemiMOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PNFQA28N50onsemiMOSFET N-CH 500V 28.4A TO3PFQA19N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PNFQA19N60 MOSFairchild (onsemi)FQA28N50Fairchild Semiconductor28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNELFQA28N15_F109onsemiMOSFET N-CH 150V 33A TO3PNFQA28N15 MOSFairchild (onsemi)FQA24N50Fairchild Semiconductor24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, MFQA20N40onsemiMOSFET N-CH 400V 19.5A TO3PFQA28N15onsemiMOSFET N-CH 150V 33A TO3PN| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.