مشخصات فناوری FQA18N50V2
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQA18N50V2 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQA18N50V2
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 265mOhm @ 10A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 277W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3290 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 55 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQA18N50V2 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQA18N50V2 | FQA160N08 | FQA19N60 | FQA20N40 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 277W (Tc) | 375W (Tc) | 300W (Tc) | 200W (Tc) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| سلسله | QFET® | QFET® | - | QFET® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 80 V | 600 V | 400 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3290 pF @ 25 V | 7900 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 2800 pF @ 25 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN | TO-3P |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 55 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 20A (Tc) | 160A (Tc) | 18.5A (Tc) | 19.5A (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 265mOhm @ 10A, 10V | 7mOhm @ 80A, 10V | 380mOhm @ 9.3A, 10V | 220mOhm @ 9.8A, 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±25V | ±30V | ±30V |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
FQA19N20L MOSFairchild (onsemi)FQA19N60 MOSFairchild (onsemi)FQA160N08onsemiMOSFET N-CH 80V 160A TO3PNFQA18N40Fairchild (onsemi)FQA19N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PNFQA20N40onsemiMOSFET N-CH 400V 19.5A TO3PFQA19N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 21.8A TO3PFQA16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16A TO3PFQA14N30onsemiMOSFET N-CH 300V 15A TO3PFQA20N50Fairchild (onsemi)
FQA19N60onsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQA18N50FSCFQA160N08Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQA18N50V2onsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO3PFQA170N06onsemiMOSFET N-CH 60V 170A TO3PNFQA15N70Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQA16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16A TO3PFQA19N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 25A TO3P| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.