مشخصات فناوری FQA14N30
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQA14N30 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQA14N30
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 290mOhm @ 7.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 160W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1360 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 40 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 300 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQA14N30 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQA14N30 | FQA160N08 | FQA13N80 | FQA13N80 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 290mOhm @ 7.5A, 10V | 7mOhm @ 80A, 10V | 750mOhm @ 6.3A, 10V | 750mOhm @ 6.3A, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1360 pF @ 25 V | 7900 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15A (Tc) | 160A (Tc) | 12.6A (Tc) | 12.6A (Tc) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 40 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | 88 nC @ 10 V | 88 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±25V | ±30V | ±30V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 300 V | 80 V | 800 V | 800 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 160W (Tc) | 375W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
FQA160N08onsemiMOSFET N-CH 80V 160A TO3PNFQA13N80onsemiMOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNFQA13N80_F109Fairchild (onsemi)FQA13N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNFQA13N50CF MOSFairchild (onsemi)FQA15N70Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQA18N50FSCFQA18N40Fairchild (onsemi)FQA140N10 MOSFairchild (onsemi)FQA13N50C_F109Fairchild (onsemi)FQA16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16A TO3PFQA14N30onsemiMOSFET N-CH 300V 15A TO3PFQA140N10onsemiMOSFET N-CH 100V 140A TO3PNFQA13N80-F109onsemiMOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PNFQA14N10FSCFQA170N06onsemiMOSFET N-CH 60V 170A TO3PNFQA16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16A TO3PFQA160N08Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.