مشخصات فناوری FDZ294N
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDZ294N ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDZ294N
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±12V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 9-BGA (1.5x1.6) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 6A, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.7W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 9-VFBGA | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 670 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 10 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDZ294N دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDZ294N | FDZ299P | FDZ371PZ | FDZ298N |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| بسته بندی / مورد | 9-VFBGA | 9-WFBGA | 4-XFBGA, WLCSP | 9-WFBGA |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 10 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 670 pF @ 10 V | 742 pF @ 10 V | 1000 pF @ 10 V | 680 pF @ 10 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.7W (Ta) | 1.7W (Ta) | 1.7W (Ta) | 1.7W (Ta) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 6A, 4.5V | 55mOhm @ 4.6A, 4.5V | 75mOhm @ 2A, 4.5V | 27mOhm @ 6A, 4.5V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 9-BGA (1.5x1.6) | 9-BGA (2x2.1) | 4-WLCSP (1x1) | 9-BGA (1.5x1.6) |
| VGS (حداکثر) | ±12V | ±12V | ±8V | ±12V |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A (Ta) | 4.6A (Ta) | 3.7A (Ta) | 6A (Ta) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
FDZ299PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
FDZ295PFairchild (onsemi)FDZ2554P MOSFairchild (onsemi)FDZ371PZonsemiMOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSPFDZ299P MOSFairchild (onsemi)FDZ298NonsemiMOSFET N-CH 20V 6A 9BGAFDZ293PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ294N MOSFairchild (onsemi)FDZ299PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ295P MOSFairchild (onsemi)FDZ293P MOSFairchild (onsemi)FDZ291PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ293PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ291P MOSFairchild (onsemi)FDZ298N MOSFairchild (onsemi)FDZ2554PFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFETFDZ293Fairchild (onsemi)FDZ294NonsemiMOSFET N-CH 20V 6A 9BGA| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.