مشخصات فناوری FDS6680A
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDS6680A ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDS6680A
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 9.5mOhm @ 12.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1620 pF @ 15 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDS6680A دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDS6680A | FDS6679Z | FDS6679AZ | FDS6680 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | +20V, -25V | ±25V | ±20V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) | 13A (Ta) | 13A (Ta) | 11.5A (Ta) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1620 pF @ 15 V | 3803 pF @ 15 V | 3845 pF @ 15 V | 2070 pF @ 15 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 5 V | 94 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V | 27 nC @ 5 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 9.5mOhm @ 12.5A, 10V | 9mOhm @ 13A, 10V | 9.3mOhm @ 13A, 10V | 10mOhm @ 11.5A, 10V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
FDS6680AS MOSFairchild (onsemi)FDS6680AS_NLFDSFDS6679ZonsemiMOSFET P-CH 30V 13A 8SOICFDS6679AZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDS6680onsemiMOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOICFDS6680A-NLVBSEMIFDS6679ZFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 13A 8SOICFDS6680A_NLFairchild (onsemi)FDS6680AS-NLFairchild (onsemi)FDS6680A MOSFairchild (onsemi)FDS6680AS-NL.Fairchild (onsemi)FDS6680 MOSFairchild (onsemi)FDS6680ASonsemiMOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOICFDS6680ASFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS6680AonsemiMOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOICFDS6680Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOICFDS6680-NLFairchild (onsemi)FDS6679AZ MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.