مشخصات فناوری FDS5690
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDS5690 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDS5690
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 28mOhm @ 7A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1107 pF @ 30 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 32 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDS5690 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDS5690 | FDS5692Z | FDS5692Z | FDS5680 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7A (Ta) | 5.8A (Ta) | 5.8A (Ta) | 8A (Ta) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 50 V | 50 V | 60 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 28mOhm @ 7A, 10V | 24mOhm @ 5.8A, 10V | 24mOhm @ 5.8A, 10V | 20mOhm @ 8A, 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 32 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| سلسله | PowerTrench® | UltraFET™ | UltraFET™ | PowerTrench® |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1107 pF @ 30 V | 1025 pF @ 25 V | 1025 pF @ 25 V | 1850 pF @ 15 V |
FDS5692ZonsemiMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOICFDS5692ZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOICFDS5680Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS5690onsemiMOSFET N-CH 60V 7A 8SOICFDS5680 MOSFairchild (onsemi)FDS5680-NLFairchild (onsemi)FDS5690_NLFDSFDS5690 MOSFairchild (onsemi)FDS6064N7Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 23A 8SO
FDS5682 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDS5690-NLFairchild (onsemi)FDS5690_F095Fairchild (onsemi)FDS5680onsemiMOSFET N-CH 60V 8A 8SOICFDS5680_NLFairchild (onsemi)FDS5682-NLFairchild (onsemi)FDS5692Z-NLFairchild (onsemi)FDS5682onsemiMOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOICFDS5E012Fairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.