مشخصات فناوری FDR840P
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDR840P ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDR840P
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±12V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SuperSOT™-8 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 12mOhm @ 10A, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.8W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4481 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDR840P دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDR840P | FDR838P | FDR6674A | FDR840P |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4481 pF @ 10 V | 3300 pF @ 10 V | 5070 pF @ 15 V | 4481 pF @ 10 V |
| بسته بندی / مورد | 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| سلسله | - | - | PowerTrench® | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 4.5 V | 45 nC @ 4.5 V | 46 nC @ 4.5 V | 60 nC @ 4.5 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A (Ta) | 8A (Ta) | 11.5A (Ta) | 10A (Ta) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کننده بسته بندی دستگاه | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 12mOhm @ 10A, 4.5V | 17mOhm @ 8A, 4.5V | 9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V | 12mOhm @ 10A, 4.5V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| VGS (حداکثر) | ±12V | ±8V | ±12V | ±12V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 20 V | 30 V | 20 V |
FDR8508PonsemiMOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8FDR838PonsemiMOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8FDR6674AonsemiMOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
FDR8508P MOSFairchild (onsemi)FDR840PonsemiMOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8FDR8508PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDR838P_NLFairchild (onsemi)FDR858PonsemiMOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8FDR8308PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8FDR838P MOSFDSFDR840P-NDFairchild (onsemi)FDR8308PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDR8321LFairchild (onsemi)FDR8308P MOSFairchild (onsemi)FDR836PFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETFDR840P MOSFairchild (onsemi)FDR842PonsemiMOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8FDR8521LFairchild| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.