مشخصات فناوری FDP15N65
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDP15N65 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDP15N65
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | UniFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 440mOhm @ 7.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 250W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3095 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 63 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 650 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDP15N65 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDP15N65 | FDP16AN08A0 | FDP16N50 | FDP15N40 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 440mOhm @ 7.5A, 10V | 16mOhm @ 58A, 10V | 380mOhm @ 8A, 10V | 300mOhm @ 7.5A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 650 V | 75 V | 500 V | 400 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 250W (Tc) | 135W (Tc) | 200W (Tc) | 170W (Tc) |
| سلسله | UniFET™ | PowerTrench® | UniFET™ | UniFET™ |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15A (Tc) | 9A (Ta), 58A (Tc) | 16A (Tc) | 15A (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 63 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±20V | ±30V | ±30V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3095 pF @ 25 V | 1857 pF @ 25 V | 1945 pF @ 25 V | 1750 pF @ 25 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FDP150N10A_F102VBSEMIFDP16AN08A0onsemiMOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3FDP16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16A TO220-3FDP15N40onsemiMOSFET N-CH 400V 15A TO220-3FDP16AN08AOFairchild (onsemi)FDP15N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 15A TO220-3FDP150N10AonsemiMOSFET N-CH 100V 50A TO220-3FDP18N20FonsemiMOSFET N-CH 200V 18A TO220-3FDP15N40 MOSFairchild (onsemi)FDP16AN08A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3FDP16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16A TO220-3FDP15N40Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP18N20FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP16AN08A0 MOSFairchild (onsemi)FDP15N65onsemiMOSFET N-CH 650V 15A TO220-3FDP16N50UFairchild (onsemi)FDP15N50onsemiMOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
FDP150N10A-F102ONsemi| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.