مشخصات فناوری FDA59N30
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDA59N30 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDA59N30
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | |
| سلسله | UniFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 56mOhm @ 29.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4670 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 300 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDA59N30 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDA59N30 | FDA70N20 | FDA59N25 | FDA50N50 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 300 V | 200 V | 250 V | 500 V |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| سلسله | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 56mOhm @ 29.5A, 10V | 35mOhm @ 35A, 10V | 49mOhm @ 29.5A, 10V | 105mOhm @ 24A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V | 137 nC @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4670 pF @ 25 V | 3970 pF @ 25 V | 4020 pF @ 25 V | 6460 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 59A (Tc) | 70A (Tc) | 59A (Tc) | 48A (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500W (Tc) | 417W (Tc) | 392W (Tc) | 625W (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDA70N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDA50N50SFairchild (onsemi)FDA59N30 MOSFairchild (onsemi)FDA59N25onsemiMOSFET N-CH 250V 59A TO3PNFDA50N50onsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDA69N25onsemiMOSFET N-CH 250V 69A TO3PNFDA59N30onsemiMOSFET N-CH 300V 59A TO3PNFDA62N28onsemiMOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
FDA4100LVSTMicroelectronicsIC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUADFDA50N50 MOSFairchild (onsemi)
FDA620010Diodes IncorporatedXTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMDFDA38N30Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDA62N28Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 280V 62A TO3PNFDA4100LVPFDA38N30 MOSFairchild (onsemi)FDA70N20onsemiMOSFET N-CH 200V 70A TO3PNFDA450LVSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFPFDA70N10Fairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.