مشخصات فناوری FDA16N50
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDA16N50 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDA16N50
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | |
| سلسله | UniFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 380mOhm @ 8.3A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 205W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1945 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 45 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 16.5A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDA16N50 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDA16N50 | FDA15N65 | FDA16N50LDTU | FDA15N65 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1945 pF @ 25 V | 3095 pF @ 25 V | 1945 pF @ 25 V | 3095 pF @ 25 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN (L-Forming) | TO-3PN |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 380mOhm @ 8.3A, 10V | 440mOhm @ 8A, 10V | 380mOhm @ 8.3A, 10V | 440mOhm @ 8A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 45 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 205W (Tc) | 260W (Tc) | 205W (Tc) | 260W (Tc) |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) | TO-3P-3, SC-65-3 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 16.5A (Tc) | 16A (Tc) | 16.5A (Tc) | 16A (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | UniFET™ | UniFET™ | - | UniFET™ |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 650 V | 500 V | 650 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FDA1254-1R0MP3Murata ElectronicsFDA1254-5R6MP3Murata ElectronicsFDA15N65onsemiMOSFET N-CH 650V 16A TO3PNFDA18N50 MOSFairchild (onsemi)FDA1254-1R2MP3Murata ElectronicsFDA16N50LDTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDA16N50_F109Fairchild (onsemi)FDA1055-H-2R2MP3Murata ElectronicsFDA1254-H-2R2MP3Murata ElectronicsFDA1254-8R0MP3Murata ElectronicsFDA15N65Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 16A TO3PNFDA20N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA18N50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDA16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA1254-H-4R7MP3Murata ElectronicsFDA20N50-F109onsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA18N50onsemiMOSFET N-CH 500V 19A TO3PNFDA16N50LDTUonsemiMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.