مشخصات فناوری FCP099N60E
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FCP099N60E ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FCP099N60E
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | SuperFET® II | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 99mOhm @ 18.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 357W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3465 pF @ 380 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 114 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FCP099N60E دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FCP099N60E | FCP11N60 | FCP104N60F | FCP11N60 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 99mOhm @ 18.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 114 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 37A (Tc) | 11A (Tc) | 37A (Tc) | 11A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | SuperFET® II | SuperFET™ | HiPerFET™, Polar™ | SuperFET™ |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3465 pF @ 380 V | 1490 pF @ 25 V | 6130 pF @ 25 V | 1490 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 357W (Tc) | 125W (Tc) | 357W (Tc) | 125W (Tc) |
FCP11N60F MOSFairchild (onsemi)
FCP-101TDK CorporationIGBT ModuleFCP11N60onsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP104N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP11N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3FCP110N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 35A TO220-3FCP11N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FCP1206H103J-H2Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 10000PF 5% 50VDC 1206FCP104N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FCP11N60 MOSFairchild (onsemi)FCP099N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO220-3FCP067N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 44A TO220FCP104N60onsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP-102TDK CorporationIGBT ModuleFCP099N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60N MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.