مشخصات فناوری FCI25N60N
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FCI25N60N ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FCI25N60N
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | I2PAK (TO-262) | |
| سلسله | SupreMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 125mOhm @ 12.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 216W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3352 pF @ 100 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 74 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 25A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FCI25 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FCI25N60N دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FCI25N60N | FCI25N60N | FCI25N60N-F102 | FCI25N60N-F102 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V |
| سلسله | SupreMOS™ | SupreMOS™ | SupreMOS™ | SupreMOS™ |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 216W (Tc) | 216W (Tc) | 216W (Tc) | 216W (Tc) |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | FCI25 | FCI25 | FCI25N60 | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
FCI3216-1R0K05FCI3216-1R0KFCI2012F-R47KTAI-TECHFCI25N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI3216-220KBULLFCI3216-2R2KFCI2012F-R39KFCI2012F-R12KTAI-TECHFCI25N60N-F102onsemiMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI3216-100KTTAIFCI2012F-R82KTAI-TECHFCI25N60N-F102Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI3216-100KTAI-TECHFCI2012F-R22KTAI-TECHFCI2012F-R56KTAI-TECHFCI3216-1R8KTAI-TECHFCI2012F-R68KTAI-TECHFCI2012F-82NKTAI-TECH| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.